Metallisation structure for making contacts with a semiconductor device, and device comprising such a structure

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne les dispositifs semi-conducteurs fonctionnant en hyperfréquences, notamment ceux qui travaillent au moins à 10 GHz, pour lesquels on ne sait pas réaliser de boîtiers d'encapsulation qui ne soient pas des cavités résonnantes. Le dispositif semi-conducteur étant réalisé sur une pastille (1) reçoit des métallisations fines (8, 9, 10) en contact avec les régions du semi-conducteur. Ces métallisations fines sont toutes portées par une première face principale de la pastille (1). Selon l'invention, une première métallisation (8) reçoit une métallisation épaisse (11) qui permet la soudure «à l'envers» de la pastille (1) sur une embase métallique (7). La reprise de contact sur au moins une seconde métallisation (9) se fait au moyen d'un trou (4), métallisé sur sa paroi (12), réunissant la seconde métallisation (9) à une collerette métallique (13) portée par la seconde face principale de la pastille (1), du côté du substrat. Un cadre (15), en métallisation épaisse, entoure les métallisations (8, 9, 10) et, par soudure sur l'embase métallique (7), assure l'autoencapsulation de la pastille. Application aux systèmes hyperfréquences. The invention relates to semiconductor devices operating at microwave frequencies, in particular those which work at least at 10 GHz, for which it is not known how to make encapsulation packages which are not resonant cavities. The semiconductor device being produced on a wafer (1) receives fine metallizations (8, 9, 10) in contact with the regions of the semiconductor. These fine metallizations are all carried by a first main face of the patch (1). According to the invention, a first metallization (8) receives a thick metallization (11) which allows the welding "upside down" of the patch (1) on a metal base (7). The resumption of contact on at least a second metallization (9) is done by means of a hole (4), metallized on its wall (12), joining the second metallization (9) to a metal flange (13) carried by the second main face of the patch (1), on the side of the substrate. A frame (15), in thick metallization, surrounds the metallizations (8, 9, 10) and, by welding on the metal base (7), ensures the self-encapsulation of the pellet. Application to microwave systems.

Inventors

• 👤 Raymond Henry
• 👤 Guy Bessonneau
• 👤 Bernard Carnez

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