Method of producing highly integrated MOS field-effect transistors

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von hochintegrierten MOS-Feldeffekttransistoren, bei dem zur Verminderung der Unterdiffusion der implantierten Source/Drain-Bereiche (9, 19) unter die Gatefläche (4) die Gate-Flanken mit einer Oxidschicht (spacer oxide) versehen werden. Erfindungsgemäß wird dazu eine vorzugsweise aus Bor-Phosphor-Silikatglas bestehende Maskierungsschicht (7) vor der Source/Drain-Ionen-Implantation (8) durch CVD aufgebracht und die Dicke dieser Schicht (7) so eingestellt, daß eine Ionen-Implantation (8) in einem definierten Abstand vom Gate (4) in der oberflächennahen Zone (1) gerade noch stattfindet, an den Gatekanten (4), bedingt durch das dickere Flankenoxid, aber unterbleibt. Das Verfahren wird verwendet bei der Herstellung von NMOS-, PMOS- und CMOS-Schaltungen und erzielt Bauelemente mit großen Schaltgeschwindigkeiten in hoher Packungsdichte. The invention relates to a method for producing highly integrated MOS field effect transistors, in which the gate flanks are provided with an oxide layer (spacer oxide) to reduce the underdiffusion of the implanted source / drain regions (9, 19) under the gate surface (4) . According to the invention, a masking layer (7), preferably made of boron-phosphorus-silicate glass, is applied by CVD before the source / drain ion implantation (8) and the thickness of this layer (7) is adjusted such that an ion implantation (8) at a defined distance from the gate (4) in the zone (1) close to the surface just takes place, at the gate edges (4), due to the thicker side oxide, but does not occur. The method is used in the manufacture of NMOS, PMOS and CMOS circuits and achieves devices with high switching speeds in high packing density.

Inventors

• 👤 Ulrich Dr. Schwabe
• 👤 Erwin P. Dr. Jacobs
• 👤 Franz Dr. Neppl

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