Process for manufacturing integrated circuits comprising MOS field-effect transistors using silicon gate technology having silicide layers on diffusion regions as low-ohmic conductors

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von integrierten MOS-Feldeffekttransistorschaltungen in Siliziumgate-Technologie mit Silizid-beschichteten Diffusionsgebieten als niederohmige Leiterbahnen. Dabei werden die Diffusions- (9a, 9b) und Polysiliziumgatebereiche (6) durch selektive Abscheidung von hochschmelzendem Metallsilizid (10) niederohmig gemacht. Die selektive Abscheidung, welche unter Verwendung eines Halogenwasserstoff abspaltenden Reaktionsgases erfolgt, vereinfacht den Prozeßablauf und ist voll kompatibel mit den üblichen Siliziumgateprozessen. Wegen der hohen Temperaturbeständigkeit wird vorzugsweise Tantalsilizid verwendet. Die Erfindung ist anwendbar bei der Herstellung von MOS-Schaltungen in VLSI-Technologie. The invention relates to a method for producing integrated MOS field-effect transistor circuits using silicon gate technology with silicide-coated diffusion regions as low-resistance conductor tracks. The diffusion (9a, 9b) and polysilicon gate areas (6) are made low-resistance by selective deposition of high-melting metal silicide (10). The selective deposition, which is carried out using a hydrogen halide, simplifies the process and is fully compatible with the usual silicon gate processes. Because of the high temperature resistance, tantalum silicide is preferably used. The invention is applicable in the production of MOS circuits using VLSI technology.

Inventors

• 👤 Ulrich. Dr. Phil. Schwabe
• 👤 Franz Dr.Rer.Nat. Neppl
• 👤 Konrad Dr. Hieber

Bibliographic Details