Electrically programmable read-only memory

Abstract

Abstract Translated from French Ensemble de mémoire morte électriquement programmable, comprenant des cellules d'emmagasinage disposées aux intersections de lignes de bits (BL1) et de lignes de mots (WL1, WL2). Chaque cellule est formée d'un transistor bipolaire ayant une région de base (70), une région émetteur (71) sur laquelle est disposée une couche diélectrique (2). La cellule dans cet état représente un bit d'information binaire 1 ou 0. En appliquant une tension appropriée de l'ordre de 4 volts aux bornes de cette cellule par l'intermédiaire de la ligne de bit (BL1) et de la ligne de mot (WL2), le diélectrique claque et la ligne de bit est en contact ohmique avec l'émetteur, ce qui met la cellule dans l'autre état représentant un 0 ou un 1. Electrically programmable read-only memory assembly, comprising storage cells arranged at the intersections of bit lines (BL1) and word lines (WL1, WL2). Each cell is formed of a bipolar transistor having a base region (70), an emitter region (71) on which a dielectric layer (2) is arranged. The cell in this state represents a bit of binary information 1 or 0. By applying an appropriate voltage of the order of 4 volts to the terminals of this cell via the bit line (BL1) and the line of word (WL2), the dielectric blows and the bit line is in ohmic contact with the transmitter, which puts the cell in the other state representing a 0 or a 1.

Inventors

• 👤 Dominique Basire
• 👤 Arup Bhattacharyya
• 👤 James Howard
• 👤 Pierre Mollier

Bibliographic Details