Etching method

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 エッチングと同一の容器を用いてアッシング を行うとアッシングレートが遅くなる。また、エッチン グ容器をそのまま使用するとアッシング後に残渣が残 る。 【解決手段】 本発明のエッチング兼アッシング装置１ は、チャンバー２内の上部電極１１と、この下方に対向 して配設され且つウエハＷを載置するサセプタ４と、こ れら両者１１、４それぞれに第１、第２の高周波電力を 印加する第１、第２の高周波電源２０、２２と、アッシ ング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供 給源１６とを備え、アッシング時またはエッチング時に は第１の高周波電源２０から上部電極１１に高周波電力 を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ４ に高周波電力を印加する。 (57) [Summary] [Problem] When ashing is performed using the same container as etching, the ashing rate becomes slow. If the etching container is used as it is, a residue remains after ashing. SOLUTION: The etching and ashing apparatus 1 of the present invention is provided. Is an upper electrode 11 in the chamber 2, a susceptor 4 disposed below and facing the lower electrode and on which the wafer W is mounted, and a first and second high-frequency power applied to both of them 11, 4 respectively. A first and second high-frequency power supplies 20 and 22; and a processing gas supply source 16 for supplying an ashing gas and an etching gas. High-frequency power is supplied from the first high-frequency power supply 20 to the upper electrode 11 during ashing or etching. To the susceptor 4 from the second high frequency power supply 22. Is applied with high frequency power.

Inventors

• 👤 Akitoshi Harada
• 👤 彰俊 原田
• 👤 Koichiro Inasawa
• 👤 剛一郎 稲沢

Bibliographic Details