EEPROM memory, programmed and erased by Fowler-Nordheim effect

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne une mémoire EEPROM (1) organisée matriciellement en lignes de mot (WL) et en lignes de bit (BL), comprenant des cellules de mémorisation placées aux intersections de ces lignes. Les cellules comprennent des transistors de mémorisation à grille flottante (TGF1...TGFK) et sont regroupées en groupes (CGR) de cellules. On prévoit un transistor de sélection de groupe (TSG1) par groupe de cellules pour relier sélectivement les grilles de commande des transistors de mémorisation des groupes à des lignes de commande (CL) en fonction de potentiels de sélection présents sur des lignes de sélection (SL1), les lignes de commande permettant d'imposer des potentiels de commande de programmation, d'effacement ou de lecture aux dites grilles de commande. The invention relates to an EEPROM memory (1) organized by matrix into word lines (WL) and bit lines (BL), comprising storage cells placed at the intersections of these lines. The cells include floating gate storage transistors (TGF1 ... TGFK) and are grouped into groups (CGR) of cells. A group selection transistor (TSG1) is provided per group of cells to selectively connect the control gates of the group storage transistors to control lines (CL) as a function of the selection potentials present on selection lines (SL1 ), the command lines making it possible to impose programming, erasing or reading command potentials on said command grids.

Inventors

• 👤 Marc Cabinet Ballot Schmit Guedj
• 👤 Allessandro Cabinet Ballot Schmit Brigati
• 👤 Maxence Cabinet Ballot Schmit Aulas
• 👤 Nicole Cabinet Ballot Schmit Demange

Bibliographic Details