Method of manufacturing a transistor using silicon on insulator technology

Abstract

Abstract Translated from French Ce procédé consiste en particulier à réaliser une couche mince de silicium (6) sur un isolant (4), puis un masque (8, 10) comprenant une ouverture (13) à l'emplacement prévu pour le canal (26) du transistor ; oxyder localement (14) le silicium non masqué ; éliminer le masque ; réaliser une implantation ionique (16) de source (18) et drain (20) dans le silicium, l'oxydation locale servant de masque à cette implantation ; éliminer l'oxydation locale ; réaliser l'isolant mince de grille entre la source et le drain, puis la grille. This method consists in particular in producing a thin layer of silicon (6) on an insulator (4), then a mask (8, 10) comprising an opening (13) at the location provided for the channel (26) of the transistor; locally oxidizing (14) unmasked silicon; remove the mask; perform an ion implantation (16) of source (18) and drain (20) in silicon, the local oxidation serving as a mask for this implantation; eliminate local oxidation; make the thin grid insulation between the source and the drain, then the grid.

Inventors

• 👤 Benôit Giffard

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