Process for etching holes or grooves in n-type silicium

Abstract

Abstract Translated from German Die Herstellung von Lochöffnungen oder Gräben in aus n-dotiertem Silizium bestehenden Schichten oder Substraten (1) erfolgt auf elektrolytischem Wege, wobei das Silizium als positiv gepolte Elektrode (5) einer, ein Flußsäure haltiges Medium (3) enthal­tenden Elektrolysierzelle geschaltet wird. Mit dem erfindungsge­mäßen Verfahren lassen sich Lochstrukturen mit stark variablen Querschnitt reproduzierbar herstellen, sowie Löcher durch Keim­vorgabe lokalisieren. Die Erfindung wird verwendet bei der Her­stellung von Trenchzellen in Speicherbausteinen, Isolationsgrä­ben in hochintegrierten Halbleietschaltungen, großflächigen Kon­densatoren (Varicaps), Kontaktierung tieferliegender Schichten bei abschaltbaren und spannungsgesteuerten Thyristoren. Hole openings or trenches in layers or substrates (1) consisting of n-doped silicon are produced electrolytically, the silicon being switched as a positively polarized electrode (5) of an electrolysis cell containing a hydrofluoric acid-containing medium (3). With the method according to the invention, hole structures with a highly variable cross section can be produced reproducibly, and holes can be localized by specifying the germ. The invention is used in the manufacture of trench cells in memory modules, isolation trenches in highly integrated semiconductor circuits, large-area capacitors (varicaps), contacting deeper layers in the case of switchable and voltage-controlled thyristors.

Inventors

• 👤 Helmut Dr. Föll
• 👤 Volker Lehmann

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