Gate turn-off power semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from German Bei einem feldgesteuerten Thyristor mit einer Schichtenfolge aus Anodenschicht (6), Kanalschicht (5) und kathodenseitig abwechselnd angeordneten Gatebereichen (8) und Kathodenbereichen (3) wird eine Verbesserung der Blockierverstärkung durch eine p-Dotierung der Seitenwände der die Kathodenbereiche (3) voneinander trennenden Gräben (10), und/oder eine zusätzliche, niedrig p-dotierte Zwischenschicht (9) erreicht, die zwischen benachbarten Gatebereichen (8) angeordnet ist. In the case of a field-controlled thyristor with a layer sequence of anode layer (6), channel layer (5) and gate regions (8) and cathode regions (3) arranged alternately on the cathode side, an improvement in the blocking gain is achieved by p-doping the side walls of those separating the cathode regions (3) from one another Trenches (10), and / or an additional, low p-doped intermediate layer (9) is reached, which is arranged between adjacent gate areas (8).

Inventors

• 👤 Bruno Dr. Broich
• 👤 Jens Dr. Gobrecht
• 👤 Peter Dr. Roggwiller
• 👤 Jan Voboril

Bibliographic Details