Method and circuit arrangement for testing a semiconductor memory

Abstract

Abstract Translated from German Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden in korrespondierende Speicherzellen (SZ) zweier Blöcke (B1,B2) eines Halbleiterspeichers gleiche Daten eingeschrieben. Alle Speicherzellen (SZ) zweier korrespondierender Wortleitungen (WL) der Blöcke (B1,B2) werden gleichzeitig ausgelesen. Die Daten werden verstärkt und miteinander verglichen. Das Ergebnis wird einem Fehlersignal (F) zugeführt. Es wird eine Schaltung vorgestellt, die die Durchführung dieses Verfahrens ermöglicht. Die Erfindung ist auch bei Video-RAM's anwendbar. In the method according to the invention, the same data is written into corresponding memory cells (SZ) of two blocks (B1, B2) of a semiconductor memory. All memory cells (SZ) of two corresponding word lines (WL) of the blocks (B1, B2) are read out simultaneously. The data are strengthened and compared with each other. The result is fed to an error signal (F). A circuit is presented which enables this method to be carried out. The invention is also applicable to video RAMs.

Inventors

• 👤 Hans-Dieter Dipl.-Ing. Oberle
• 👤 Kurt Prof. Dr. Hoffmann
• 👤 Oskar Dr. Rer. Nat. Kowarik
• 👤 Rainer Dipl.-Phys. Kraus

Bibliographic Details