MOS field-effect transistor structure with extremely flat source/drain regions and silicides connection regions, and method of manufacturing these within an intergrated circuit

Abstract

Abstract Translated from German Die erfindungsgemäße MOS-Feldeffekttransisistor-Struktur weist zwischen Gate-Elektrode (3) und Feldoxidbereichen (2) durch selektive Epitaxie erzeugte einkristalline, dotierte Siliziumgebiete (4) auf, die zugleich als Diffusionsquelle für die Erzeugung der Source/Drain-Zonen (6) im Substrat (1), als auch als Anschlußbereiche für die aus Silizid bestehenden Source/Drain-Anschlüssen (7) dienen. Durch diese Anschlußtechnologie werden bei hoher Integrationsdichte besonders planare Strukturen erzeugt, die sich durch verminderte Drainfeldstärke, niedrige Serienwiderstände und geringe Substratkurzschlußgefahr auszeichnen. Die Verfahren zur Realisierung dieser Struktur in CMOS-Schaltungen sind einfach durchführbar. Die Erfindung ist anwendbar für alle NMOS-, PMOS- und CMOS-Schaltungen. The MOS field-effect transistor structure according to the invention has single-crystal, doped silicon regions (4) generated by selective epitaxy between the gate electrode (3) and field oxide regions (2), which at the same time act as a diffusion source for the generation of the source / drain zones (6) Substrate (1), and also serve as connection areas for the source / drain connections (7) made of silicide. This connection technology produces particularly planar structures with a high integration density, which are characterized by reduced drain field strength, low series resistances and low risk of substrate short-circuit. The methods for realizing this structure in CMOS circuits are simple to carry out. The invention is applicable to all NMOS, PMOS and CMOS circuits.

Inventors

• 👤 C. A. Dr. rer. nat. Mazuré-Espejo
• 👤 Franz Dr. Rer. Nat. Neppl

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