P-i-n photodiode realized by using an amorphous semiconductor

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne une photodiode PIN dans laquelle au moins l'une des couches P, I, N est constituée par un super-réseau de composition comportant des couches superposées de semiconducteur amorphe et d'isolant, non dopées. Sur la figure 2, les couches P et N sont réalisées par un super-réseau amorphe, avec cinq périodes (P1 à P5) pour la couche P et neuf périodes (N1 à N9) pour la couche N, et la couche I est réalisée par un semiconducteur amorphe. Application aux cellules solaires montées sur calculatrices, aux barrettes de détecteurs pour télécopie, et à la détection de rayons x par l'intermédiaire de scintillateurs. The invention relates to a PIN photodiode in which at least one of the layers P, I, N consists of a composition superlattice comprising superimposed layers of non-doped amorphous semiconductor and insulator. In FIG. 2, the layers P and N are produced by an amorphous superlattice, with five periods (P1 to P5) for the layer P and nine periods (N1 to N9) for the layer N, and the layer I is produced by an amorphous semiconductor. Application to solar cells mounted on calculators, to fax detector arrays, and to x-ray detection by means of scintillators.

Inventors

• 👤 Yves Henry

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