DC voltage multiplier which can be integrated into a semiconductor structure
Abstract
Abstract Translated from French L'invention concerne un multiplicateur de tension continue pouvant être intégré à une structure semiconductrice. Le multiplicateur comprend un condensateur (C) se chargeant et se déchargeant au rythme d'un signal d'horloge (S), un transistor MOS à déplétion (16) monté en résistance et permettant la décharge du condensateur (C). L'invention permet l'intégration du multiplicateur sur un substrat semiconducteur et notamment pour la commande d'un VD MOS (1). The invention relates to a DC voltage multiplier which can be integrated into a semiconductor structure. The multiplier comprises a capacitor (C) charging and discharging at the rate of a clock signal (S), a depletion MOS transistor (16) mounted in resistance and allowing the discharge of the capacitor (C). The invention allows the integration of the multiplier on a semiconductor substrate and in particular for the control of a VD MOS (1).
Inventors
- 👤 Bruno Nadd
Bibliographic Details
Claims Analysis
Total Claims: 0References Cited (Backward Citations)
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