Process for making a light image sensor, and linear image sensor made by this process

Abstract

Abstract Translated from French Procédé de fabrication dans lequel on dépose sur un substrat (1) une couche d'un matériau conducteur (2) puis successivement des couches de semi-conducteur dopé p<+> (3), non dopé (4), dopé n<+> (5), non dopé (6) puis dopé p<+> (7). On grave ensuite dans ces couches, au moins une colonne de matériau. Puis dans la colonne ainsi obtenue, des plots réalisés uniquement dans les couches de semi-conducteurs. Les flancs des plots sont ensuite isolés. Enfin on dépose des électrodes de lignes en contact avec les parties supérieures des plots non recouvertes d'isolant. L'invention est applicable à un détecteur d'images lumineuses. Manufacturing process in which a layer of a conductive material (2) is deposited on a substrate (1) then successively layers of p <+> doped semiconductor (3), undoped (4), n <+ doped > (5), undoped (6) then doped p <+> (7). At least one column of material is then etched into these layers. Then in the column thus obtained, pads made only in the semiconductor layers. The sides of the studs are then isolated. Finally, line electrodes are placed in contact with the upper parts of the studs not covered with insulation. The invention is applicable to a light image detector.

Inventors

• 👤 Nicolas Szydlo
• 👤 François Boulitrop

Bibliographic Details