Semiconductor module for a fast switching arrangement

Abstract

Abstract Translated from German Halbleiter-Modul für eine schnelle Schaltanordnung für hohe Ströme und Schaltzeiten in der Größenordnung von 100 ns und weniger mit einem aktiven Halbleiterschaltelement (T1) und einer Freilaufdiode (D1), die in unmittelbarer Nachbarschaft angeordnet sind, mit einem gemeinsamen Lastanschluß (30) von Halbeliterschaltelement (T1) und Freilaufdiode (D1) derart, daß das Halbleitershaltelement (T1) und die Freilaufdiode (D1) bezogen auf den gemeinsamen Lastanschluß (30) gleichsinnig von Strom aus einer Gleichspannungsquelle (6) durchflossen werden, die an die jeweils anderen Anschlüsse (40, 42) von Halbleiterschaltelement (T1) und Freilaufdiode (D1) angeschlossen ist. Die jeweils anderen Anschlüsse (40, 42) von Halbleiterschaltelement (T1) und Freilaufdiode (D1) sind jeweils mit einer von zwei durch eine Isolierschicht (23) getrennten Leiterschichten (32, 34) verbunden, die in unmittelbarer Nachbarschaft von Halbleiterschaltelement (T1) und Freilaufdiode (D1) angeordnet sind und vom Laststrom gleichsinnig durchflossen werden. Semiconductor module for a fast switching arrangement for high currents and switching times in the order of magnitude of 100 ns and less with an active semiconductor switching element (T1) and a freewheeling diode (D1), which are arranged in the immediate vicinity, with a common load connection (30) of semiconductor switching element (T1) and free-wheeling diode (D1) in such a way that the semiconductor holding element (T1) and the free-wheeling diode (D1) with respect to the common load connection (30) are flowed through in the same direction by current from a DC voltage source (6) which is connected to the other connections (40 , 42) of the semiconductor switching element (T1) and free-wheeling diode (D1) is connected. The respective other connections (40, 42) of the semiconductor switching element (T1) and free-wheeling diode (D1) are each connected to one of two conductor layers (32, 34) separated by an insulating layer (23), which are in the immediate vicinity of the semiconductor switching element (T1) and Free-wheeling diode (D1) are arranged and the load current flows through them in the same direction.

Inventors

• 👤 Klaus Dipl.-Ing. Sachs

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