Power transistor module for rectifying equipment

Abstract

Abstract Translated from French DANS CE MODULE DE TRANSISTOR DE PUISSANCE A MONTER SUR UN CORPS DE REFROIDISSEMENT, ON TROUVE UN CADRE 1 EN MATIERE PLASTIQUE OUVERT VERS LE HAUT ET VERS LE BAS ET UNE PLAQUE EN CERAMIQUE 5 COLLEE AU FOND DU CADRE DE MANIERE A CONSTITUER LE BOITIER. POUR OBTENIR UNE RESISTANCE CALORIFIQUE FAIBLE, LA PLAQUE DE CERAMIQUE 5 EST RELIEE DIRECTEMENT DES DEUX COTES, C'EST-A-DIRE SANS SOUDURE OU COLLAGE, A DES METALLISATIONS 6A, 6B, 6C, 7, CES METALLISATIONS ETANT STRUCTUREES EN FONCTION DU CIRCUIT RECHERCHE ET ETANT SOUDEES A DES ELEMENTS DE RACCORDEMENT 10, 12 ACCESSIBLES SUR LE COTE SUPERIEUR DU MODULE ET A UN OU PLUSIEURS TRANSISTORS DE PUISSANCE 14. LES METALLISATIONS ONT UNE SURFACE PLUS GRANDE QUE CE QUI CORRESPOND AUX SURFACES DE SOUDAGE DES COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS. LA LIAISON ENTRE LE RACCORDEMENT DE COMMANDE ET LES METALLISATIONS CORRESPONDANTES A LIEU PAR DES FILS INTERNES DE LIAISON. APPLICATION A LA FABRICATION DE MODULES A GRANDE CAPACITE DE CHARGE THERMIQUE. IN THIS POWER TRANSISTOR MODULE TO BE MOUNTED ON A COOLING BODY, WE FIND A PLASTIC FRAME 1 OPENED UP AND DOWN AND A CERAMIC PLATE 5 GLUED TO THE BOTTOM OF THE FRAME SO AS TO CONSTITUTE THE BOX. TO OBTAIN LOW HEAT RESISTANCE, CERAMIC PLATE 5 IS CONNECTED DIRECTLY ON BOTH SIDES, THAT IS WITHOUT WELDING OR BONDING, TO METALLIZATIONS 6A, 6B, 6C, 7, THESE METALLIZATIONS BEING STRUCTURED ACCORDING TO THE CIRCUIT LOOKING FOR AND BEING WELDED TO CONNECTION ELEMENTS 10, 12 ACCESSIBLE ON THE UPPER SIDE OF THE MODULE AND TO ONE OR MORE POWER TRANSISTORS 14. THE METALLIZATIONS HAVE A LARGER SURFACE THAN WHICH CORRESPONDS TO THE WELDING SURFACES OF THE SEMICONDUCTOR COMPONENTS. THE LINK BETWEEN THE CONTROL CONNECTION AND THE CORRESPONDING METALLIZATIONS THROUGH INTERNAL LINK WIRES. APPLICATION TO THE MANUFACTURING OF MODULES WITH LARGE THERMAL LOAD CAPACITY.

Inventors

• 👤 Bernd Leukel
• 👤 Klaus Bunk
• 👤 Hubert Hettmann

Bibliographic Details