Method of producing gate electrodes composed of double layers made of high-melting metal silicides and doped polycrystalline silicon

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von aus Doppelschichten aus hochschmelzenden Metallsiliziden und dotiertem polykristallinem Silizium bestehenden Gate-Elektroden, bei dem das polykristalline Silizium (3,13) undotiert vor dem Metallsilizid (4, 14) abgeschieden wird und die Dotierung des Siliziums (3, 13) durch die Erzeugung derSource/Drain-Bereiche (11, 12) durch Ionenimplantation (9, 17) und nachfolgenden Hochtemperaturschritt erreicht wird. Das Verfahren erlaubt die problemlose Herstellung von Polyzid-Gates mit n +- und p +- Polysilizium auf einem Chip ohne technologischen Mehraufwand; außerdem wird durch die dünnen Gateschichten die Planarisierung erleichtert. Das Verfahren wird angewandt bei der Herstellung von hochintegrierten CMOS-Schaltungen. The invention relates to a method for producing gate electrodes consisting of double layers of high-melting metal silicides and doped polycrystalline silicon, in which the polycrystalline silicon (3, 13) is deposited undoped before the metal silicide (4, 14) and the doping of the silicon (3 , 13) by the generation of the source / drain regions (11, 12) by ion implantation (9, 17) and subsequent high temperature step. The method enables the problem-free production of polycide gates with n + and p + polysilicon on one chip without additional technological effort; planarization is also facilitated by the thin gate layers. The method is used in the manufacture of highly integrated CMOS circuits.

Inventors

• 👤 Franz Dr. Neppl
• 👤 Ulrich Dr. Schwabe
• 👤 Konrad Dr. Hieber

Bibliographic Details