Nonvolatile semiconductor memory device and driving method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 低電圧においても十分なオン状態のメモリセ ル読み出し電流を確保することができ、低電圧下での高 速読み出しを可能とする不揮発性半導体記憶装置および その駆動方法を提供する。 【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半 導体基板の上に、マトリクス状に配置された複数のメモ リセルと、行方向に延びる複数のワード線と、前記行方 向に延びる複数のソース線と、列方向に延びる複数のビ ット線とを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、あ る行に属する複数のメモリセルが、前記複数のソース線 のうちの第１のソース線と接続され、前記ある行と隣接 する行に属する複数のメモリセルが、前記複数のソース 線のうちの第２のソース線と接続され、前記第１のソー ス線は、前記第２のソース線と電気的に独立している。 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of securing a sufficient ON-state memory cell read current even at a low voltage and enabling high-speed read at a low voltage, and a driving method thereof. provide. A nonvolatile semiconductor memory device according to the present invention includes a plurality of memory cells arranged in a matrix on a semiconductor substrate, a plurality of word lines extending in a row direction, and a plurality of sources extending in the row direction. A non-volatile semiconductor memory device including a plurality of bit lines extending in a column direction, wherein a plurality of memory cells belonging to a certain row are connected to a first source line of the plurality of source lines. A plurality of memory cells belonging to a row adjacent to the certain row are connected to a second source line of the plurality of source lines, and the first source line is electrically connected to the second source line. Independent.

Inventors

• 👤 Keita Takahashi
• 👤 桂太 高橋

Bibliographic Details