Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 Ｐｔ膜やＰＺＴ膜をドライエッチングして所 定のパターンを形成する際に、蒸気圧の低い反応生成物 がパターンの側壁に付着するのを防止する。 【解決手段】 半導体基板５０上に堆積したＰｔ膜５３ をドライエッチングする際、頭部の外周部が丸みを帯び たレジストマスク５４を使用する。また、ドライエッチ ング後に適切な量のオーバーエッチングを行ってパター ンの側面に残った側壁付着膜５５を完全に除去する。レ ジストマスク５４は、ベンゾフェノン系ノボラックレジ ストを露光、現像した後、必要に応じて紫外線を照射し ながら加熱して硬化させることにより形成する。 [PROBLEMS] To prevent a reaction product having a low vapor pressure from adhering to a side wall of a pattern when a Pt film or a PZT film is dry-etched to form a predetermined pattern. SOLUTION: A Pt film 53 deposited on a semiconductor substrate 50 is provided. Is used, a resist mask 54 having a rounded outer peripheral portion of the head is used. After dry etching, an appropriate amount of over-etching is performed to completely remove the sidewall adhesion film 55 remaining on the side surfaces of the pattern. The resist mask 54 is formed by exposing and developing a benzophenone-based novolak resist, and then heating and curing it while irradiating ultraviolet rays as necessary.

Inventors

• 👤 Takashi Yunogami
• 👤 隆 湯之上
• 👤 Shunji Sasabe
• 👤 俊二 笹部
• 👤 Kazuyuki Sumukai
• 👤 一行 須向
• 👤 Jun Abe
• 👤 純 阿部
• 👤 Kosei Kumihashi
• 👤 孝生 組橋
• 👤 Fumio Murai
• 👤 二三夫 村井

Bibliographic Details