Semiconductor member manufacturing method and semiconductor member

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 多層構造体を多孔質層で良好、簡易に分離す るのが困難。 【解決手段】 シリコン基板の少なくとも１つの表面側 に導電型を制御し得る元素を拡散させた拡散領域１２を 形成する工程、拡散領域１２を含む領域に多孔質シリコ ン層１３，１４を形成する工程、多孔質シリコン層１３ 上に非多孔質半導体層１５を形成して第１の基体１１を 用意する工程、第１の基体１１と第２の基体１６とを非 多孔質半導体層１５が内側に位置する多層構造体が得ら れるように貼り合わせる工程、多孔質シリコン層の領域 であって、前記拡散領域以外の領域１４より前記多層構 造体を分離する工程、前記分離された第２の基体１６側 に残った多孔質シリコン層１３，１４を除去する工程、 とを有する。さらに、分離された第１の基体１１側に残 った多孔質シリコン層１４を除去して得られる基体を第 １の基体１１または第２の基体１６の原材料として使用 する工程、とを有する。 (57) [Problem] It is difficult to easily and easily separate a multilayer structure with a porous layer. SOLUTION: A step of forming a diffusion region 12 in which an element whose conductivity type can be controlled is diffused on at least one surface side of a silicon substrate, and a step of forming porous silicon layers 13 and 14 in a region including the diffusion region 12 , Porous silicon layer 13 A step of forming a non-porous semiconductor layer 15 thereon to prepare a first base 11, and forming a first base 11 and a second base 16 into a multilayer structure in which the non-porous semiconductor layer 15 is located inside. Bonding to obtain the multi-layer structure from a region 14 of the porous silicon layer other than the diffusion region, and removing the porous structure remaining on the separated second base 16 side. Removing the silicon layers 13 and 14, And And a step of using a substrate obtained by removing the porous silicon layer 14 remaining on the separated first substrate 11 side as a raw material of the first substrate 11 or the second substrate 16.

Inventors

• 👤 Kiyobumi Sakaguchi
• 👤 清文 坂口
• 👤 Takao Yonehara
• 👤 隆夫 米原

Bibliographic Details