Deposition method

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】熱ＣＶＤ法によるフッ素含有シリコン酸化膜の 成膜方法に関し、カバレージに優れ、比誘電率が小さ く、膜質の安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成す る。 【解決手段】基板６を加熱した状態でＳｉ−Ｆ結合を有 する有機シランとＳｉ−Ｆ結合を有しない有機シランと 酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて基板６上にフ ッ素含有シリコン酸化膜を形成する。 The present invention relates to a method for forming a fluorine-containing silicon oxide film by a thermal CVD method, which forms a fluorine-containing silicon oxide film having excellent coverage, a small relative dielectric constant, and stable film quality. SOLUTION: A fluorine-containing silicon oxide is oxidized on the substrate 6 by reacting a mixed gas containing an organic silane having a Si-F bond, an organic silane having no Si-F bond and an oxidizing gas in a state where the substrate 6 is heated. Form a film.

Inventors

• 👤 Kazuo Maeda
• 👤 和夫 前田
• 👤 Toku Tokumasu
• 👤 徳 徳増
• 👤 Yoshiaki Yuyama
• 👤 芳章 湯山

Bibliographic Details