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JPH0951139A Expired / Lapsed JP ⏱️ 0.0 years remaining

Semiconductor laser device

Assignee: Hitachi Ltd
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Filing: 1995-08-09
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Granted: —
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Expires: 2015-08-09
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Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、低閾値で動作する青紫色波 長域のレ−ザ素子を実現させることにある。 【構成】 (0001)C面を有するサファイア基板1上に中 央部にストライプ状の窓をあけたTiの窒化物TiN x (0<x≦ 1)のパタ−ン2を形成しておき、絶縁膜マスクパタ−ン 3を利用して、選択成長技術によりAlGaInN材料からな る導波路共振構造を作製する。導波路構造に関しては、 発光活性層6を光導波層に埋め込んだ形であるBH構造 を構成できる。次に、TiN x (0<x≦1)に接触する形でn側 電極Ti/Auを蒸着し、p側電極にはNi/Auを蒸着した後、 劈開することにより素子を得る。 【効果】 本実施例では、n型の電極材料に高融点のTi の窒化物TiN x (0<x≦1)材料を予め形成しておくことによ り、選択成長を一回行うだけで、実屈折率差により基本 横モ−ドを制御してレ−ザ光を安定に伝搬する埋め込み (BH)導波路構造を作製できた。本素子は、電流注入に より410〜430nmの波長範囲でレ−ザ発振した。 また、絶縁膜マスクパタ−ンを工夫することにより、さ らに低閾値動作が可能であった。 (57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to realize a laser device in a blue-violet wavelength region that operates at a low threshold value. [Structure] Ti nitride TiN x (0 <x ≦, on a sapphire substrate 1 having a (0001) C plane, with a stripe-shaped window in the center The pattern 2 of 1) is formed, and the insulating film mask pattern 3 is used to fabricate a waveguide resonance structure made of an AlGaInN material by a selective growth technique. As for the waveguide structure, A BH structure in which the light emitting active layer 6 is embedded in the optical waveguide layer can be formed. Next, after vapor-depositing the n-side electrode Ti / Au in contact with TiN x (0 <x ≦ 1) and Ni / Au on the p-side electrode, An element is obtained by cleaving. [Effect] In the present embodiment, a high melting point Ti is used for the n-type electrode material. By forming the TiN x (0 <x ≦ 1) nitride material in advance, the selective lateral growth is performed only once, and the basic lateral mode is controlled by the difference in the actual refractive index so that the laser light can be emitted. Embedded with stable propagation A (BH) waveguide structure could be produced. This device caused laser oscillation in the wavelength range of 410 to 430 nm by current injection. Further, by devising the insulating film mask pattern, a lower threshold operation was possible.

Inventors

  • 👤 Toshiaki Tanaka
  • 👤 俊明 田中
  • 👤 Akisada Watanabe
  • 👤 明禎 渡辺
  • 👤 Kenji Uchida
  • 👤 憲治 内田
  • 👤 Shoichi Akamatsu
  • 👤 正一 赤松

Bibliographic Details

Application Number —
Jurisdiction JP
Data Source google_patents
Last Synchronized 2026-11-05 17:04
CPC Classifications
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Claims Analysis

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References Cited (Backward Citations)

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