Insulating film forming method and semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 本発明は半導体集積回路の多層配線におけ る絶縁膜形成方法に関し、層間絶縁膜として低誘電率で 下地段差を平坦化しつつ、且つ絶縁性、耐湿性、耐熱性 の優れた膜を得る。 【構成】 基板上に形成された有機珪素化合物からな る絶縁膜を弗素プラズマ処理し、続いて、該絶縁膜を酸 素プラズマ処理する。 (57) [Abstract] [Object] The present invention relates to a method for forming an insulating film in a multilayer wiring of a semiconductor integrated circuit. Get an excellent film. [Structure] An insulating film made of an organic silicon compound formed on a substrate is subjected to a fluorine plasma treatment, and then the insulating film is subjected to an oxygen plasma treatment.

Inventors

• 👤 Tomoko Kobayashi
• 👤 倫子 小林
• 👤 Shunichi Fukuyama
• 👤 俊一 福山
• 👤 Yoshihiro Nakada
• 👤 義弘 中田

Bibliographic Details