Semiconductor circuit and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 （修正有） 【目的】 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の回路におい て、低リーク電流のＴＦＴと高速動作が可能なＴＦＴを 有する半導体回路およびそのような回路を作製するため の方法を提供する。 【構成】 アモルファスシリコン膜２０３に密着して触 媒元素を有する物質を選択的に形成し、もしくはアモル ファスシリコン膜中に触媒元素を選択的に導入し、この アモルファスシリコン膜２０３にレーザーもしくはそれ と同等な強光を照射することによって結晶化させる。そ して、触媒元素の少ない結晶シリコン領域２０６ａをア クティブマトリクス回路の画素回路に使用されるＴＦＴ に用いて、触媒元素の多い結晶シリコン領域２０６ａを 周辺駆動回路に使用されるＴＦＴに用いる。また、画素 回路に使用されるＴＦＴはＬＤＤ構造とする。 (57) [Summary] (Modified) [Object] To provide a semiconductor circuit having a thin film transistor (TFT) circuit having a low leakage current TFT and a TFT capable of high-speed operation, and a method for manufacturing such a circuit. To do. [Structure] A material having a catalytic element is selectively formed in close contact with the amorphous silicon film 203, or a catalytic element is selectively introduced into the amorphous silicon film, and a laser or a strong laser equivalent thereto is applied to the amorphous silicon film 203. Crystallize by irradiating with light. Then, the crystalline silicon region 206a having a small catalytic element is used for the TFT used in the pixel circuit of the active matrix circuit. The crystalline silicon region 206a containing a large amount of catalytic element is used for the TFT used in the peripheral drive circuit. Further, the TFT used in the pixel circuit has an LDD structure.

Inventors

• 👤 Jun Koyama
• 👤 潤 小山
• 👤 Masahiko Hayakawa
• 👤 昌彦 早川
• 👤 Shunpei Yamazaki
• 👤 舜平 山崎
• 👤 Shoji Miyanaga
• 👤 昭治 宮永
• 👤 Hisashi Otani
• 👤 久 大谷
• 👤 Yasuhiko Takemura
• 👤 保彦 竹村

Bibliographic Details