Capacitive element manufacturing method

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 絶縁基板の上に強誘電体膜を容量絶縁膜とす る容量素子を形成する際に、下電極の下に安定した下地 積層膜を形成する。 【構成】 少なくとも表面が絶縁膜で覆われた基板３１ 上にチタン膜３２を形成する工程と、チタン膜３２に窒 素イオン３３をイオン注入する工程と、熱処理して拡散 障壁層となるチタン窒化膜３４を形成する工程と、白金 膜３５を形成する工程と、その上に金属酸化物からなる 強誘電体膜３６、白金膜３７を形成する工程と、以降白 金膜３７、強誘電体膜３６、白金膜３５、チタン窒化膜 ３４およびチタン膜３２をそれぞれ選択エッチングする 工程とを有する。 【効果】 拡散障壁層を窒素イオンのイオン注入と熱処 理により形成することにより、下電極と基板の接着性に 必要なチタン膜の厚さを確保した状態で、白金とチタン との反応を防止する拡散障壁層を形成できる。 (57) [Abstract] [Purpose] When a capacitive element having a ferroelectric film as a capacitive insulating film is formed on an insulating substrate, a stable underlying laminated film is formed under the lower electrode. [Structure] Substrate 31 at least the surface of which is covered with an insulating film A step of forming a titanium film 32 thereon, a step of implanting nitrogen ions 33 into the titanium film 32, a step of performing a heat treatment to form a titanium nitride film 34 to serve as a diffusion barrier layer, and a step of forming a platinum film 35. And a step of forming a ferroelectric film 36 and a platinum film 37 made of a metal oxide thereon, and thereafter, a platinum film 37, a ferroelectric film 36, a platinum film 35, a titanium nitride film 34 and a titanium film 32, respectively. And a step of performing selective etching. [Effect] By forming the diffusion barrier layer by ion implantation of nitrogen ions and heat treatment, the reaction between platinum and titanium is prevented in the state where the thickness of the titanium film necessary for the adhesion between the lower electrode and the substrate is secured. A diffusion barrier layer can be formed.

Inventors

• 👤 Yasuhiro Uemoto
• 👤 康裕 上本
• 👤 Yasuhiro Shimada
• 👤 恭博 嶋田
• 👤 Masamichi Azuma
• 👤 正道 吾妻
• 👤 Atsuo Inoue
• 👤 敦雄 井上
• 👤 Yasufumi Izutsu
• 👤 康文 井筒

Bibliographic Details