Ashing method and apparatus

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】本発明は、有機薄膜を下地膜に対して選択比を 高くして除去する。 【解決手段】Ｏ2 ガスとＣＨＦ 3 ガスにＮＨ 3 ガスを混 合したアッシング用ガスをプラズマ発生室９に導入し、 マイクロ波を導入してプラズマを発生させ、このプラズ マにより生じた活性種により被処理体３上の下地膜とし てのａ−Ｓｉ膜５上に形成された有機薄膜（レジスト） ６を除去する。このときａ−Ｓｉ膜５上にアンモニウム 塩が形成され、ａ−Ｓｉ膜５に対するエッチングが阻止 される。 (57) Abstract: The present invention removes an organic thin film with a high selection ratio with respect to a base film. SOLUTION: An ashing gas, which is a mixture of O 2 gas, CHF 3 gas and NH 3 gas, is introduced into a plasma generation chamber 9, An organic thin film (resist) formed on the a-Si film 5 as a base film on the object to be processed 3 by the introduction of microwaves to generate plasma and active species generated by the plasma Remove 6. At this time, ammonium salt is formed on the a-Si film 5, and etching of the a-Si film 5 is blocked.

Inventors

• 👤 Hideo Eto
• 👤 英雄 江藤
• 👤 Kayoko Kojima
• 👤 可容子 小島

Bibliographic Details