Semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】ＳＯＩ構造による効果を失わずに、高品質で十 分な歪みを有する歪みシリコン層を形成できる構造のＭ ＯＳＦＥＴを提供すること。 【解決手段】埋め込み絶縁層３が挿設され、この埋め込 み絶縁層３により上下に区分された歪み印加半導体層と してのＳｉＧｅ層２と、上側のＳｉＧｅ層２上に形成さ れたチャネル層としての歪みシリコン層４とを備え、埋 め込み絶縁層３は上側のＳｉＧｅ層２の膜厚が薄くなる ように形成され、かつ歪みシリコン層４の形成前に、Ｓ ｉＧｅ層２および埋め込み絶縁層３の形成時にＳｉＧｅ 層２内に発生した転位等の欠陥を低減するための熱処理 がＳｉＧｅ層２に施されている。 (57) Abstract: An M structure having a structure capable of forming a strained silicon layer having high quality and sufficient strain without losing the effect of the SOI structure. Providing OSFET. A buried insulating layer (3) is inserted, and a SiGe layer (2) as a strain applying semiconductor layer divided into upper and lower parts by the buried insulating layer (3) and a strain as a channel layer formed on the upper SiGe layer (2). The buried insulating layer 3 is formed so that the film thickness of the upper SiGe layer 2 is thin, and before the formation of the strained silicon layer 4, S When forming the iGe layer 2 and the buried insulating layer 3, SiGe A heat treatment for reducing defects such as dislocations generated in the layer 2 is applied to the SiGe layer 2.

Inventors

• 👤 Koji Usuda
• 👤 宏治 臼田
• 👤 Kiyoshi Imai
• 👤 聖支 今井
• 👤 Naoharu Sugiyama
• 👤 直治 杉山
• 👤 Tsutomu Tezuka
• 👤 勉 手塚
• 👤 Yoshiko Hiraoka
• 👤 佳子 平岡
• 👤 Atsushi Kurobe
• 👤 篤 黒部

Bibliographic Details