Semiconductor light emitting device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 半導体発光素子においてインピーダンスを低 減する。 【解決手段】 サファイア基板１上にn-GaN低温バッフ ァ層２、n-GaNバッファ層３、n-InGaN バッファ層４、n -AlGaN クラッド層５、n-GaN 光ガイド層６、活性層 ７、p-GaN 光ガイド層８、一部にリッジストライプ部を 有するp-AlGaN クラッド層９、リッジストライプ状のp- GaN 下部キャップ層10が積層され、p-AlGaNクラッド層 ９のリッジストライプ以外の部分に、SiN 膜11を製膜す る。さらに、p-GaN 上部キャップ層12をSiN 膜11上およ びp-GaN 下部キャップ層10上に成長した後、塩素イオン を用いたＲＩＢＥにより発光領域を含む部分以外のエピ タキシャル層をn-GaN バッファ層３が露出するまでエッ チング除去する。この後、n-GaN バッファ層３上にTi/A l/Ti/Au ｎ側電極14を、また、上部キャップ層12上にNi /Au ｐ側電極13を真空蒸着・窒素中アニールしてオーミ ック電極を形成する。 (57) Abstract: Impedance is reduced in a semiconductor light emitting device. An n-GaN low temperature buffer layer 2, an n-GaN buffer layer 3, an n-InGaN buffer layer 4, n are formed on a sapphire substrate 1. -AlGaN clad layer 5, n-GaN light guide layer 6, active layer 7, p-GaN light guide layer 8, p-AlGaN clad layer 9 partially having a ridge stripe portion, ridge stripe p- A GaN lower cap layer 10 is laminated, and a SiN film 11 is formed on a portion of the p-AlGaN cladding layer 9 other than the ridge stripe. Further, after growing the p-GaN upper cap layer 12 on the SiN film 11 and the p-GaN lower cap layer 10, the epitaxial layer other than the portion including the light emitting region is formed by n-GaN buffer layer by RIBE using chlorine ions. Etch away until 3 is exposed. After this, Ti / A is deposited on the n-GaN buffer layer 3. l / Ti / Au n-side electrode 14 and Ni on top cap layer 12 / Au p side electrode 13 is vacuum-deposited and annealed in nitrogen to form an ohmic electrode.

Inventors

• 👤 Toshiro Hayakawa
• 👤 利郎 早川

Bibliographic Details