Method for manufacturing semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 ＤＲＡＭやＴＦＴの容量電極に用いるのに好 適なシリコン膜の形成方法を提供する。 【解決手段】 シランガスをＰドープあるいは不純物を 添加していない非晶質シリコン上に１×１０ -3 ［Ｔｏｒ ｒ］以下で照射し、非晶質シリコンを選択的に成長し、 連続してアニール処理することで、非晶質シリコン上に 微結晶を形成し、電極表面に凹凸を形成する。また、非 晶質シリコンの選択成長を行うことで、電極表面の微結 晶に供給するシリコン原子を増やす。これにより、球状 又は半球状のグレインが安定して形成できるため、ＤＲ ＡＭの容量電極に用いることが可能となる。一方、水素 や酸素雰囲気中でアニール処理することで、グレインの 成長を起こさずに滑らかな表面を有するシリコン膜が形 成でき、ＴＦＴの容量電極に用いる。 (57) A method for forming a silicon film suitable for use as a capacitance electrode of a DRAM or a TFT is provided. SOLUTION: Silane gas is P-doped or 1 × 10 −3 [Tor] on amorphous silicon not added with impurities. r] or less to selectively grow amorphous silicon, By continuously performing the annealing treatment, fine crystals are formed on the amorphous silicon and unevenness is formed on the electrode surface. Further, by selectively growing amorphous silicon, the number of silicon atoms supplied to the microcrystals on the electrode surface is increased. As a result, spherical or hemispherical grains can be stably formed, so that DR It can be used as a capacitor electrode of AM. On the other hand, by annealing in a hydrogen or oxygen atmosphere, a silicon film having a smooth surface can be formed without causing grain growth, which is used as a capacitor electrode of a TFT.

Inventors

• 👤 Hirohito Watanabe
• 👤 啓仁 渡辺
• 👤 Ichiro Honma
• 👤 一郎 本間

Bibliographic Details