Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】絶縁層上に密着層を介してタングステン膜を形 成し、その後タングステン膜及び密着層をエッチングす る半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置に関 し、スループットを低下させずに密着層及び主導電膜を 形成すること、プロセスの安定性や再現性を確保するこ と、装置の設置面積を可能な限り縮小すること、装置の 処理能力を低下させることなく低温エッチング後の基板 表面での結露を防ぐこと、反応生成物を残すことなくレ ジスト膜の除去を行う。 【構成】タングステンを含むガスを主としてジボランに より還元し、絶縁層１１上に第１のタングステン膜１４ を形成する工程と、タングステンを含むガスを水素又は シランにより還元し、第１のタングステン膜１４上に第 ２のタングステン膜１５を形成する工程とを有する。 (57) [Abstract] [Purpose] A method for manufacturing a semiconductor device and a dry etching apparatus in which a tungsten film is formed on an insulating layer via an adhesion layer, and then the tungsten film and the adhesion layer are etched, without reducing throughput. Forming the adhesion layer and the main conductive film, ensuring the stability and reproducibility of the process, reducing the installation area of the device as much as possible, the substrate surface after low temperature etching without reducing the processing capacity of the device In order to prevent dew condensation, the resist film is removed without leaving reaction products. A gas containing tungsten is reduced mainly by diborane to form a first tungsten film 14 on the insulating layer 11. And a step of forming a second tungsten film 15 on the first tungsten film 14 by reducing a gas containing tungsten with hydrogen or silane.

Inventors

• 👤 Haruhito Nishibe
• 👤 晴仁 西部
• 👤 Koki Iio
• 👤 弘毅 飯尾

Bibliographic Details