Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 半導体記憶装置において、大容量化に伴う素 子寸法の縮少によって、セル容量値が減少し、信頼性が 低下する。セル面積を増大させることなく、かつ製造工 程を複雑にすることなくセル容量値を増加させたい。 【構成】 下部容量電極８からはみ出して、容量コンタ クト７を設けることにより、下部容量電極８を容量コン タクト７内部まで掘ることを可能とし、容量コンタクト ７内の下部容量電極８の側壁をも容量電極として利用す ることにより、容量面積を増加させることができる。 これにより、セル面積を増大させることなく、かつ製造 工程を複雑にすることなく、セル容量値を増加させるこ とができる。 (57) [Summary] [Object] In a semiconductor memory device, the cell capacitance value is reduced and the reliability is lowered due to the reduction in element size accompanying the increase in capacity. It is desired to increase the cell capacitance value without increasing the cell area and complicating the manufacturing process. [Structure] By providing a capacitance contact 7 so as to extend from the lower capacitance electrode 8, it is possible to dig the lower capacitance electrode 8 to the inside of the capacitance contact 7. It is possible to increase the capacitance area by using As a result, the cell capacitance value can be increased without increasing the cell area and without complicating the manufacturing process.

Inventors

• 👤 Takashi Yajima
• 👤 貴史 矢島

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