Wiring pattern manufacturing method

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 （修正有） 【構成】 第１の配線層上に形成されたオフセット酸化 膜上に例えばＳｉ ｘ Ｏ ｙ Ｎ ｚ 膜よりなる反射防止膜を形 成し、反射防止膜上にレジストを設けて、パターニング を行い積層膜６を形成する。この積層膜６にサイドウォ ール７を形成する。サイドウォール７で囲まれた領域の うち、必要な領域にｎ形の不純物例えばリン（Ｐ）を選 択的にイオン注入してシリコン基板１の表面にｎ形の不 純物拡散領域１１を形成する。サイドウォール７の内側 に第２のサイドウォール９を形成すると同時にシリコン 基板１まで達するコンタクトホール１０を自己整合的に 形成する。最後に第２の配線層１２を形成する。 【効果】 反射膜に光学適的な変質を起こさせず、定在 波効果を抑圧でき、良好なパターニングができ、絶縁膜 の膜減りを低減できる。 (57) [Summary] (Modified) [Configuration] An antireflection film made of, for example, a Si x O y N z film is formed on the offset oxide film formed on the first wiring layer, and the antireflection film is formed on the antireflection film. A resist is provided and patterned to form the laminated film 6. Sidewalls 7 are formed on the laminated film 6. An n-type impurity such as phosphorus (P) is selectively ion-implanted into a necessary region of the region surrounded by the sidewalls 7 to form an n-type impurity diffusion region 11 on the surface of the silicon substrate 1. The second side wall 9 is formed inside the side wall 7, and at the same time, the contact hole 10 reaching the silicon substrate 1 is formed in a self-aligned manner. Finally, the second wiring layer 12 is formed. [Effects] The standing wave effect can be suppressed, good patterning can be performed, and the loss of the insulating film can be reduced without causing the optical property of the reflective film to change.

Inventors

• 👤 Masanori Tsukamoto
• 👤 雅則 塚本

Bibliographic Details