Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 消費電力の低減及び温度特性の向上を図り、 且つ、光閉じ込め層内における水平方向の光導波を簡単 に制御できるようにする。 【構成】 II−VI族半導体をＮ型GaAs基板１上に成長し て、Ｎ型バッファ層２、Ｎ型の第１光閉じ込め層３、活 性層４、Ｐ型の第２光閉じ込め層５を形成し、さらにそ の上にＮ型GaAs層を成長し、この層における活性層中央 発光領域４ａと対向する中央帯状領域６ａを除去するこ とにより、その両側にＮ型GaAs電流阻止層６を形成し、 その後、電流阻止層６及び中央帯状領域６ａに露出する 第２光閉じ込め層５上の全面に亙ってII−VI族半導体を 成長して、Ｐ型の第３光閉じ込め層を形成して、前記電 流阻止層６により電流の流れを活性層中央発光領域４ａ に集中させるようにした構成。 (57) [Summary] [Purpose] To reduce power consumption and improve temperature characteristics, Moreover, it is possible to easily control the optical waveguide in the horizontal direction in the optical confinement layer. A II-VI group semiconductor is grown on an N-type GaAs substrate 1 to form an N-type buffer layer 2, an N-type first optical confinement layer 3, an active layer 4, and a P-type second optical confinement layer 5. Then, an N-type GaAs layer is grown thereon, and the central strip-shaped region 6a facing the active layer central light emitting region 4a in this layer is removed to form the N-type GaAs current blocking layers 6 on both sides thereof. , Then, a II-VI group semiconductor is grown over the entire surface of the second light confinement layer 5 exposed in the current blocking layer 6 and the central strip-shaped region 6a to form a P-type third light confinement layer. The current blocking layer 6 allows a current to flow through the active layer central light emitting region 4a. The configuration is designed to concentrate on.

Inventors

• 👤 Yukio Shakuda
• 👤 幸男 尺田

Bibliographic Details