Capacitive element for integrated circuit and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 容量を変化させて、集積回路のインピーダン ス整合を容易にかつ安価に行うことができる集積回路用 容量素子を提供する。 【構成】 ＭＩＣ基板１００上に形成された半円形状の 下地電極層１と、その中心が下地電極層１の半円の中心 上に配置されるよう基板１００，及び下地電極層１に形 成された円柱状の中間誘電体層２と、該中間誘電体層２ 上に配置された半円形状の上地電極層３とを備え、上地 電極層３が中間誘電体層２上を回転移動できるようにし た。 (57) [Summary] [Object] To provide a capacitive element for an integrated circuit, which can change the capacitance to easily and inexpensively perform impedance matching of the integrated circuit. [Structure] A semicircular base electrode layer 1 formed on a MIC substrate 100, and formed on the substrate 100 and the base electrode layer 1 such that the center thereof is located on the center of the semicircle of the base electrode layer 1. Columnar intermediate dielectric layer 2 and the intermediate dielectric layer 2 The upper electrode layer 3 having a semicircular shape arranged above is provided so that the upper electrode layer 3 can be rotationally moved on the intermediate dielectric layer 2.

Inventors

• 👤 Hiroto Matsubayashi
• 👤 弘人 松林

Bibliographic Details