Solid-state imaging device and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【構成】転送電極の最上層を導電性の拡散・反応の防止 膜１２０で構成すると共に、転送チャネル領域上に配線 １０５と転送電極とのコンタクトホール１１０を配置し た。 【効果】拡散・反応の防止膜１２０により、配線１０５ と第一の電極材料膜１０２との間での拡散・反応が防止 されて仕事関数の変化が起こらず、よって転送チャネル 領域上にコンタクトホール１１０を配置してもＣＣＤの 転送効率を劣化させることなく高速の駆動が可能とな る。 (57) [Summary] [Structure] The uppermost layer of the transfer electrode is formed of a conductive diffusion / reaction preventing film 120, and a wiring 105 and a contact hole 110 for the transfer electrode are arranged on the transfer channel region. [Effect] The wiring 105 is formed by the diffusion / reaction prevention film 120. The diffusion / reaction between the first electrode material film 102 and the first electrode material film 102 is prevented, and the work function does not change. Therefore, even if the contact hole 110 is arranged on the transfer channel region, the transfer efficiency of the CCD is deteriorated. Without this, high-speed driving becomes possible.

Inventors

• 👤 Haruhiko Tanaka
• 👤 治彦 田中
• 👤 Toshibumi Ozaki
• 👤 俊文 尾崎

Bibliographic Details