Magnetoresistive element

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【構成】 絶縁性の基板上に第１の磁性体層が形成さ れ、その上にＮ型の第１の半導体層が形成されている。 またこの第１の半導体層上の所定の領域にはＰ型の第２ の半導体層及び第２の磁性体層がこの順序で積層形成さ れている。さらにこの第２の半導体層が形成されている 領域に近接した領域にＰ型の第４の半導体層が形成され ている。さてこのような構造で、第１の半導体層をベー ス（Ｂ）とし、第２の半導体層をエミッタ（Ｅ）とし、 第４の半導体層をコレクタ（Ｃ）とし、第１の磁性体層 ベース電極とし、第２の磁性体層をエミッタ電極とす る。この構成でＢ−Ｅ間にバイアス電流を流した状態で 外部磁界を変化させると、Ｂ−Ｃ間の電流が磁界に応じ て変化する。 【効果】 高感度、高出力の新規な磁気抵抗効果素子を 得ることができる。 (57) [Summary] [Structure] A first magnetic layer is formed on an insulating substrate, and an N-type first semiconductor layer is formed thereon. In addition, in a predetermined region on the first semiconductor layer, a P-type second The semiconductor layer and the second magnetic layer are laminated in this order. Further, a P-type fourth semiconductor layer is formed in a region close to the region in which the second semiconductor layer is formed. Now, in such a structure, the first semiconductor layer is the base (B), the second semiconductor layer is the emitter (E), The fourth semiconductor layer is used as a collector (C), the first magnetic layer base electrode is used, and the second magnetic layer is used as an emitter electrode. When the external magnetic field is changed with a bias current flowing between B and E in this configuration, the current between B and C changes according to the magnetic field. [Effect] It is possible to obtain a novel magnetoresistive effect element having high sensitivity and high output.

Inventors

• 👤 Yuzo Kamiguchi
• 👤 裕三 上口
• 👤 Atsuhito Sawabe
• 👤 厚仁 澤邊
• 👤 Masashi Sahashi
• 👤 政司 佐橋
• 👤 Hitoshi Iwasaki
• 👤 仁志 岩崎

Bibliographic Details