Resist pattern forming method

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 ネガ型レジストパターンの形成に関し、未露 光部に残渣のないレジストパターンを形成することを目 的とする。 【構成】 フェノール樹脂に少なくとも酸発生剤と架橋 剤とを添加してなるレジストにおいて、フェノール樹脂 として良溶媒と貧溶媒とを使用して低分子量成分を除い たものを使用し、このレジストを被処理基板上に塗布 し、電離放射線を選択露光した後に現像して未露光部を 溶解することを特徴としてレジストパターンの形成方法 を構成する。 (57) [Summary] [Object] Regarding the formation of a negative resist pattern, it is an object to form a resist pattern having no residue in an unexposed portion. [Structure] A resist obtained by adding at least an acid generator and a cross-linking agent to a phenol resin, which is obtained by removing a low molecular weight component using a good solvent and a poor solvent as a phenol resin, and coating the resist. A method of forming a resist pattern is characterized in that an unexposed portion is dissolved by applying it on a treated substrate, selectively exposing it to ionizing radiation, and then developing it.

Inventors

• 👤 Masako Mizushima
• 👤 賢子 水島
• 👤 Hideyuki Kanemitsu
• 👤 英之 金光
• 👤 Yuichi Yamamoto
• 👤 祐一 山本

Bibliographic Details