Manufacture of array substrate for liquid-crystal display device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 アルミニウムの表面にヒロックを生じなく、 簡単に製造できる液晶表示装置用アレイ基板の製造方法 製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に、スパッタ法によりアルミ ニウム合金を２００nm堆積させ、パターン化してゲート を兼ねた走査線２を形成し、表面に生じた表面酸化膜を 逆スパッタ法により取り除く。ゲートを兼ねた走査線２ 上に、モリブデン・タンタル合金（ＭｏＴａ）膜16を１ ５０nm堆積させ、４３０℃の真空アニール炉で１時間ア ニールし、表面にアルミニウム合金層17を形成する。ア ルミニウム合金層17を形成した後、モリブデン・タンタ ル合金膜16のみをドライエッチングで取り除く。半導体 層10を形成し、表示電極12をＩＴＯを材料として形成す る。アルミニウム層を堆積させソース電極を兼ねた信号 線14およびドレイン電極13を形成する。 (57) [Abstract] [Purpose] No hillocks are generated on the surface of aluminum, Provided is a method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device which can be easily manufactured. [Structure] An aluminum alloy having a thickness of 200 nm is deposited on a glass substrate 1 by a sputtering method and patterned to form a scanning line 2 also serving as a gate, and a surface oxide film formed on the surface is removed by a reverse sputtering method. Scanning line 2 that doubles as a gate Molybdenum-tantalum alloy (MoTa) film 16 After depositing 50 nm, it is annealed in a vacuum annealing furnace at 430 ° C. for 1 hour to form an aluminum alloy layer 17 on the surface. After forming the aluminum alloy layer 17, only the molybdenum / tantalum alloy film 16 is removed by dry etching. The semiconductor layer 10 is formed, and the display electrode 12 is formed using ITO as a material. An aluminum layer is deposited to form a signal line 14 also serving as a source electrode and a drain electrode 13.

Inventors

• 👤 Akira Kubo
• 👤 明 久保

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