Method for manufacturing semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 （修正有） 【目的】 ゲート電極材料を自由に選択でき、低温処理 が可能で、ソース電極・ドレイン電極およびゲート電極 を十分に平坦化し得る半導体装置の製造方法を提供す る。 【構成】 ゲート絶縁膜５表面および前記フィールド酸 化膜表面にマスク層をパターニング形成し、該マスク層 によって該ゲート絶縁膜を選択的に除去し、これにより 露出した該半導体層表面に、これとは反対導電型の不純 物を添加してソース・ドレイン領域７，８を形成し、該 ソース・ドレイン領域表面に選択ＣＶＤ法によりソース ・ドレイン電極１０，１１を形成し、該ソース・ドレイ ン電極上面および側面に熱酸化膜１３を形成し、前記ゲ ート絶縁膜が露出するように前記マスク層を除去し、該 ゲート絶縁膜表面から前記熱酸化膜表面に延在するゲー ト電極材料を被着形成し、該ゲート電極材料表面から前 記ソース・ドレイン電極表面を露出するまで研磨するよ うに構成する。 (57) [Summary] (Modified) [Objective] To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can freely select a gate electrode material, can be processed at a low temperature, and can sufficiently flatten a source electrode / drain electrode and a gate electrode. . A mask layer is formed on the surface of the gate insulating film 5 and the surface of the field oxide film by patterning, and the gate insulating film is selectively removed by the mask layer. Impurities of opposite conductivity type are added to form source / drain regions 7 and 8, source / drain electrodes 10 and 11 are formed on the surface of the source / drain regions by a selective CVD method, and upper and side surfaces of the source / drain electrodes are formed. A thermal oxide film 13 is formed on the gate insulating film, the mask layer is removed to expose the gate insulating film, and a gate electrode material extending from the surface of the gate insulating film to the surface of the thermal oxide film is deposited and formed. The surface of the gate electrode material is polished until the surfaces of the source / drain electrodes are exposed.

Inventors

• 👤 Yoshihiro Arimoto
• 👤 由弘 有本

Bibliographic Details