Ion implanter

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 イオン注入装置に関し，ウェーハ上に到達す るイオンビームの純度測定を製造現場でインラインにて モニターできるようにする。 【構成】 ディスク１１は，それに嵌装される２種類の ターゲットを備えている。ターゲット（Ａ）１２ａは， その上にウェーハ１３が載置され，通常のイオン注入時 に使用される。ターゲット（Ｂ）１２ｂは，イオンビー ム１５を所定の量および大きさに区切るスリット１６， イオンビーム１５が照射される微小ターゲット１７，微 小ターゲット１７を冷却する冷却器１８，および質量分 析器１９を備えている。イオンビーム純度の測定時に は，ターゲット（Ｂ）１２ｂを使用し，スリット１６を 通過したイオンビーム１５ａが微小ターゲット１７をイ オン化する際に発生するイオンを質量分析器１９により 分析して，イオンビーム１５の純度を測定する。 (57) [Summary] [Purpose] To enable the in-line monitoring of the purity of the ion beam reaching the wafer on the ion implantation equipment at the manufacturing site. [Structure] The disk 11 has two types of targets fitted therein. The target (A) 12a is The wafer 13 is placed on it and used during normal ion implantation. The target (B) 12b includes a slit 16 that divides the ion beam 15 into a predetermined amount and size, It is provided with a minute target 17 irradiated with the ion beam 15, a cooler 18 for cooling the minute target 17, and a mass analyzer 19. At the time of measuring the ion beam purity, the target (B) 12b is used, and the ions generated when the ion beam 15a that has passed through the slit 16 ionizes the minute target 17 are analyzed by the mass analyzer 19, and the ion beam 15 Measure the purity.

Inventors

• 👤 Masataka Kase
• 👤 正隆 加勢

Bibliographic Details