Formation of gate electrode of field-effect transistor

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 Ｔ形断面形状を有するゲート電極を容易に、 かつ信頼性高く形成する方法を提供する。 【構成】 基板１上にＥＢレジスト５を被覆して、リセ ス形成用パターンを開口し、このパターンをマスクとし てリセス７を形成し、第１のゲート金属８を被着した 後、イオンビーム１０を斜め方向から照射して、前記パ ターンの開口周縁のすきまに第１のゲート金属８を埋め 込んで下部電極１１を形成し、次いで、第２のゲート金 属を被着した後、前記下部電極１１をオーバラップする ように第２のレジストをパターン形成し、その後、第２ のゲート金属をエッチングして上部電極を形成して、Ｔ 形ゲート電極を形成することを特徴としている。 (57) [Abstract] [Purpose] A gate electrode having a T-shaped cross-section can be easily formed. And a method of forming with high reliability. [Structure] An EB resist 5 is coated on a substrate 1, a recess forming pattern is opened, a recess 7 is formed using this pattern as a mask, a first gate metal 8 is deposited, and then an ion beam 10 is applied. Irradiating from an oblique direction, the first gate metal 8 is embedded in the clearance at the periphery of the opening of the pattern to form the lower electrode 11, and then the second gate metal is deposited. Pattern a second resist to wrap and then a second Etching the gate metal to form an upper electrode, Forming a gate electrode.

Inventors

• 👤 Koichi Sumiya
• 👤 光一 住谷

Bibliographic Details