Field effect transistor and method of manufacturing the same

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 電界効果トランジスタおいて、ゲート直列抵 抗を増加させることなく高周波特性の向上を目指す。 【構成】 ウエハ１上に、ゲート絶縁膜２，サイドウォ ール５に囲まれたポリシリコンからなる疑似ゲート電極 ８を形成し、これを選択的に除去した後、Ａｌ等の低抵 抗金属からなる断面Ｔ字型のゲート電極３０を形成す る。 【効果】 ゲート長が狭く、かつ直列抵抗が低く、高周 波特性の良好な半導体装置を安価に得られる。 (57) [Abstract] [Purpose] In field-effect transistors, the aim is to improve high-frequency characteristics without increasing the gate series resistance. A pseudo gate electrode 8 made of polysilicon surrounded by a gate insulating film 2 and sidewalls 5 is formed on a wafer 1, and after selectively removing it, a cross section made of a low resistance metal such as Al. A T-shaped gate electrode 30 is formed. [Effect] A semiconductor device having a narrow gate length, a low series resistance, and excellent high-frequency characteristics can be obtained at low cost.

Inventors

• 👤 Akihisa Taniguchi
• 👤 明久 谷口

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