Semiconductor device and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 いわゆるＭＮＯＳもしくはＭＯＮＯＳ型半導 体装置において、集積度を高め、かつ、作製歩留りの向 上を目的とする。 【構成】 半導体基板上に、凸状の部分を設け，その側 面に、窒化珪素膜を形成して、この被膜を覆って，ゲイ ト電極を設けた構造を有するＭＮＯＳもしくはＭＯＮＯ Ｓ型半導体装置。特に、このような半導体装置を多数形 成して、各半導体装置のその凸状の部分の頂部は、不純 物領域として，ここにコンタクトを形成して、ゲイト配 線と直行する配線を設けた不揮発性のＭＯＳメモリー装 置。 (57) [Abstract] [Purpose] In a so-called MNOS or MONOS type semiconductor device, an object is to increase the degree of integration and improve the manufacturing yield. A MNOS or MONOS having a structure in which a convex portion is provided on a semiconductor substrate, a silicon nitride film is formed on a side surface of the convex portion, a gate electrode is provided so as to cover the film. S-type semiconductor device. In particular, a large number of such semiconductor devices are formed, and the top of the convex portion of each semiconductor device serves as an impurity region, and a contact is formed here to provide a wiring that is orthogonal to the gate wiring. MOS memory device.

Inventors

• 👤 Shunpei Yamazaki
• 👤 舜平 山崎
• 👤 Yasuhiko Takemura
• 👤 保彦 竹村

Bibliographic Details