Method for forming protective film of semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】硬度、応力、水素含有量など全てにおいて満足 できる信頼性の大きな半導体装置の保護膜形成方法を提 供する。 【構成】一般式 （Ｒ 1 Ｒ 2 Ｎ） n ＳｉＨ 4-n （ただし、上記において、Ｒ 1 、Ｒ 2 基がＨ−、ＣＨ 3 −、Ｃ 2 Ｈ 5 −、Ｃ 3 Ｈ 7 −、Ｃ 4 Ｈ 9 −のいずれかで あり、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜 ４の整数である）で表される有機シラン化合物を原料ガ スとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成するこ とを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法。 (57) [Summary] [Purpose] Satisfaction in hardness, stress, hydrogen content, etc. Proposal of a method for forming a protective film for semiconductor devices with high reliability To serve. [Structure] General formula (R 1 R 2 N) n SiH 4-n (However, in the above, R 1 , R 2 The group is H-, CH 3 -, C 2 H Five -, C 3 H 7 -, C Four H 9 -Either Yes, and at least one of them is not H-. n is 1 An organic silane compound represented by A silicon nitride film may be formed by chemical vapor deposition. A method for forming a protective film for a semiconductor device, comprising:

Inventors

• 👤 Toru Mitomo
• 👤 友 亨 三
• 👤 Nobuyoshi Sato
• 👤 藤 伸 良 佐

Bibliographic Details