Semiconductor device and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 ＮｉＳｉを使ってサリサイド化することによ り、高温な熱処理が不要となるため、低温プロセスに適 し、かつ接合を浅くできるので微細構造を可能賭する。 【構成】 素子分離領域３を有するシリコン基板１と、 このシリコン基板１の表面にゲート絶縁膜４を介して形 成されたポリシリコンゲート電極５と、このポリシリコ ンゲート電極５に接した酸化膜６と、この酸化膜６に接 して設けられた側壁７と、ポリシリコンゲート電極５に 対して自己整合的に設けられたソース・ドレイン領域８ とを備え、これらソース・ドレイン領域８およびポリシ リコンゲート電極５上に遷移８族の金属であるＮｉを用 いてモノシリサイドを形成する。 【効果】 低温プロセスに適しており、浅い接合が可能 なため、微細構造とすることができる。這い上がり現象 が起こらないため、ゲート・ソース間あるいはゲート・ ドレイン間のショート不良が生じない。 (57) [Summary] [Purpose] By using NiSi for salicide, high-temperature heat treatment is not required, and it is suitable for low-temperature processes, and the junction can be made shallow so that a fine structure is possible. [Structure] A silicon substrate 1 having an element isolation region 3, A polysilicon gate electrode 5 formed on the surface of the silicon substrate 1 via a gate insulating film 4, an oxide film 6 in contact with the polysilicon gate electrode 5, and a side wall 7 provided in contact with the oxide film 6. And the source / drain regions 8 provided in self-alignment with the polysilicon gate electrode 5. And a monosilicide is formed on the source / drain region 8 and the polysilicon gate electrode 5 by using Ni which is a transition group 8 metal. [Effect] It is suitable for a low temperature process, and since shallow junction is possible, a fine structure can be obtained. Since the creeping phenomenon does not occur, the gate-source or gate No short circuit between drains will occur.

Inventors

• 👤 Toyota Morimoto
• 👤 豊太 森本
• 👤 Masakatsu Tsuchiaki
• 👤 正勝 土明
• 👤 Hisayo Momose
• 👤 寿代 百瀬
• 👤 Tamashiro Ono
• 👤 瑞城 小野

Bibliographic Details