Sense amplifier driving circuit

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】データ線電圧リミッタとオーバードライブ形セ ンスアンプを組合せて用いるＤＲＡＭにおいて、ＤＲＡ Ｍのセンスアンプによるデータ線増幅時間がデータ線の 寄生容量、抵抗に依存しにくいようにし、再書込みを速 め、サイクル時間とアクセス時間の高速化を図る。 【構成】ダミーのデータ線の充放電状況を検出して、そ れにあわせてセンスアンプのオーバードライブ時間を制 御する。 【効果】データ線増幅時間が製造ばらつきに影響されに くく、結果としてＤＲＡＭのサイクル時間、アクセス時 間を高速化できる。 (57) [Abstract] [Purpose] DRA in a DRAM using a combination of a data line voltage limiter and an overdrive type sense amplifier. The data line amplification time by the M sense amplifier is made less dependent on the parasitic capacitance and resistance of the data line, rewriting is accelerated, and cycle time and access time are shortened. [Structure] The charge / discharge status of a dummy data line is detected, and the overdrive time of the sense amplifier is controlled accordingly. [Effect] The data line amplification time is not easily affected by manufacturing variations, and as a result, the DRAM cycle time and access time can be shortened.

Inventors

• 👤 Riichi Tachibana
• 👤 利一 立花
• 👤 Goro Kitsukawa
• 👤 五郎 橘川
• 👤 Yasushi Kawase
• 👤 靖 川瀬
• 👤 Takesada Akiba
• 👤 武定 秋葉

Bibliographic Details