Method for manufacturing semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 多結晶シリコン領域上に均一なチタンシリサ イド膜を形成し、例えば、コンタクト抵抗の低抵抗化及 び耐熱化を図る。 【構成】 シリコン基板１１上にゲート酸化膜１３を介 して、多結晶シリコンで成るゲート１４を形成し、ソー ス・ドレイン領域となるシリコン基板１１上とゲート１ ４上にＡｒ + イオンを注入して、非晶質シリコン層１７ Ａ，１７Ｂ，１４Ａを形成する。次に、この非晶質シリ コン層の上部を酸化してシリコン酸化膜を形成する。次 いで、全面にチタン膜１９を堆積させた後、シリコン酸 化膜１８Ａ，１８Ｂ，１４Ｂを介して、チタン膜と非晶 質シリコンとを反応させてチタンシリサイド膜を形成す る。このように、非晶質シリコン層にシリコン酸化膜を 形成するため、均一な薄い酸化膜ができ、このため、チ タンシリサイド膜も均一に形成できる。 (57) [Abstract] [Purpose] A uniform titanium silicide film is formed on a polycrystalline silicon region to reduce contact resistance and heat resistance, for example. [Structure] A gate 14 made of polycrystalline silicon is formed on a silicon substrate 11 via a gate oxide film 13, and the silicon substrate 11 and the gate 1 to be source / drain regions are formed. 4 is implanted with Ar + ions to form an amorphous silicon layer 17 A, 17B and 14A are formed. Next, the upper portion of this amorphous silicon layer is oxidized to form a silicon oxide film. Next, after depositing a titanium film 19 on the entire surface, a titanium silicide film is formed by reacting the titanium film with amorphous silicon through the silicon oxide films 18A, 18B and 14B. Since the silicon oxide film is formed on the amorphous silicon layer as described above, a uniform thin oxide film can be formed, and therefore, the titanium silicide film can also be formed uniformly.

Inventors

• 👤 Hirobumi Sumi
• 👤 博文 角

Bibliographic Details