Wiring formation method

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 バリヤメタル構造を有する高アスペクト比の コンタクト部にＡｌ系材料を均一かつ高速に埋め込み、 信頼性を向上させる。 【構成】 ＳｉＯ 2 層間絶縁膜３に開口されたコンタク ト・ホール３ａを、Ｔｉ層４，ＴｉＯ x Ｎ y 層５，Ｔｉ Ｎ x 層６の３層からなるバリヤメタル７で被覆した後、 高温スパッタリング法によりＡｌ−１％Ｓｉ層８で埋め 込む。酸素を含まないＴｉＮ x 層６をバリヤメタルの最 上面とすることでＡｌ−１％Ｓｉ層８に対して高い濡れ 性が達成され、鬆（す）を発生させずに高速な埋め込み が可能となる。この高速成膜により脱ガス成分の取り込 みが減少し、エレクトロマイグレーション耐性が向上す る。また、ＴｉＮ x の粒界に酸素を偏析させた構造を有 するＴｉＯ x Ｎ y 層５を配することにより、高いバリヤ 性も達成される。 (57) [Abstract] [Purpose] Al-based material is embedded uniformly and at high speed in a high aspect ratio contact part having a barrier metal structure. Improve reliability. [Structure] The contact hole 3a opened in the SiO 2 interlayer insulating film 3 is provided with a Ti layer 4, a TiO x N y layer 5, and a Ti layer. After coating with a barrier metal 7 consisting of three layers of N x layer 6, The Al-1% Si layer 8 is embedded by the high temperature sputtering method. By using the TiN x layer 6 containing no oxygen as the uppermost surface of the barrier metal, high wettability with respect to the Al-1% Si layer 8 is achieved, and high-speed filling is possible without generating voids. .. This high-speed film formation reduces the uptake of degassed components and improves electromigration resistance. Further, by disposing the TiO x N y layer 5 having a structure in which oxygen is segregated at the TiN x grain boundaries, a high barrier property is also achieved.

Inventors

• 👤 Kazuhiro Hoshino
• 👤 和弘 星野
• 👤 Junichi Sato
• 👤 淳一 佐藤

Bibliographic Details