Semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 ショットキゲート型電界効果トランジスタ用 のゲート電極の耐ＥＭ性に優れた構造を提供する。 【構成】 少なくとも、半導体基板または半導体薄層表 面に対しショットキ接触をなす電極を具備する半導体装 置において、該ショットキ接触電極金属が、前記半導体 基板または半導体薄層に接する第一のＡｌ層と、Ｎｉか らなる中間層と、第二のＡｌ層とを順次積層してなる積 層構造を有することを特徴とする半導体装置。 (57) [Summary] [Object] To provide a structure having excellent EM resistance of a gate electrode for a Schottky gate type field effect transistor. In a semiconductor device having at least an electrode in Schottky contact with a surface of a semiconductor substrate or a semiconductor thin layer, the Schottky contact electrode metal has a first Al layer in contact with the semiconductor substrate or the semiconductor thin layer and Ni. A semiconductor device having a laminated structure in which an intermediate layer made of and a second Al layer are sequentially laminated.

Inventors

• 👤 Sachiko Fujie
• 👤 幸子 藤江

Bibliographic Details