Semiconductor memory

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 この発明は、半導体記憶装置の集積度を高く すること目的とする。 【構成】 半導体記憶装置のメモリーセルは、キャパシ タとトランジスタにより構成されている。キャパシタは 半導体基板１に形成した溝２につくられる溝型キャパシ タである。トランジスタは、ゲート電極２４、絶縁膜２ ３及び多結晶シリコンの薄膜２１で構成された薄膜トラ ンジスタである。このようにキャパシタの真上にトラン ジスタを形成することを構造上の特徴としている。 【効果】 溝型キャパシタの上に薄膜トランジスタを形 成し、１つのメモリーセルの占有する面積を小さくする ことにより、半導体記憶装置の集積度を向上することが できる。 (57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to increase the degree of integration of a semiconductor memory device. [Structure] A memory cell of a semiconductor memory device is composed of a capacitor and a transistor. The capacitor is a groove type capacitor formed in the groove 2 formed in the semiconductor substrate 1. The transistor has a gate electrode 24 and an insulating film 2. 3 and a thin film 21 of polycrystalline silicon. The structural feature is that the transistor is formed right above the capacitor. [Effect] By forming a thin film transistor on the groove type capacitor and reducing the area occupied by one memory cell, the integration degree of the semiconductor memory device can be improved.

Inventors

• 👤 Maiko Kobayashi
• 👤 舞子 小林
• 👤 Masahide Oishi
• 👤 昌秀 大石

Bibliographic Details